IGBT-Leistungshalbleiter-Testlösung (Insulated Gate Bipolar Transistor).
IGBT, ein innovatives Leistungshalbleiterbauelement, dient als feldsteuerbarer selbsthaltender Schalter und kombiniert die Hochgeschwindigkeitsleistung eines Leistungs-MOSFET mit dem niedrigen Widerstand eines bipolaren Bauelements. Es zeichnet sich durch eine hohe Eingangsimpedanz, einen geringen Stromverbrauch bei Spannungssteuerung, einen einfachen Steuerschaltkreis, eine hohe Spannungstoleranz und die Fähigkeit aus, große Ströme zu verarbeiten. IGBT ist die zentrale Komponente für die Energieumwandlung und -übertragung und integriert nahtlos die Stärken von Leistungs-MOSFETs und bipolaren Geräten, um das Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen zu optimieren.
Auf globaler Ebene werden hochmoderne IGBT-Technologie und Patente hauptsächlich von Unternehmen in Europa und den Vereinigten Staaten kontrolliert. In den letzten Jahren hat sich die inländische IGBT-Technologie in China jedoch rasant weiterentwickelt und das Monopol ausländischer Hersteller schrittweise gebrochen. Derzeit gilt IGBT als strategisch aufstrebende Industrie in China, die weit verbreitete Anwendungen in Elektrofahrzeugen, neuen Energiegeräten, Schienentransport, intelligenten Netzen, Luft- und Raumfahrt und mehr findet.
Die Entwicklung von IGBT-Chips, Modulverpackungen und Modulanwendungen erfordert leistungsstarke Prüfgeräte, um die Produktqualität sicherzustellen. Xuan'an Technology Power befasst sich mit der Prüfung dynamischer und statischer Eigenschaften von IGBTs, der Verbesserung der Produktleistung, der Integration verschiedener Programmiersysteme und der Neudefinition der Stromversorgungsfunktionalität, um eine komfortablere und intelligentere Erfahrung bei der IGBT-Prüfung zu ermöglichen.
Dynamische Eigenschaften von IGBT
Die dynamischen Eigenschaften des IGBT beziehen sich in erster Linie auf seine Ein- und Ausschaltprozesse, die den wiederholten Übergang des IGBT zwischen leitendem und nichtleitendem Zustand beinhalten. Das Testen dieser dynamischen Eigenschaften umfasst die Bewertung von Parametern wie Ein- und Ausschaltverzögerungszeiten, Anstiegszeiten, Abfallzeiten usw. Diese Analyse liefert Einblicke in die Leistung von IGBT während dieser entscheidenden Schaltvorgänge.
IGBT hat drei Anschlüsse: C (Kollektor), G (Gate) und E (Emitter). Typischerweise wird zwischen G und E eine Spannung im Bereich von -15 V bis +15 V angelegt, um den IGBT anzutreiben und dessen Leitfähigkeit oder Nichtleitung durch abwechselnde positive und negative Spannungen zu steuern.
Statische Eigenschaften
Die statischen Eigenschaften von IGBT umfassen Spannungs-Strom-Eigenschaften (VI) und Übertragungseigenschaften. Bei diesen Tests geht es in der Regel um die Aufrechterhaltung einer stabilen elektrischen Umgebung über einen längeren Zeitraum. Die maximale Gate-Source-Spannung wird durch den maximalen Kollektorstrom begrenzt, wobei der optimale Wert typischerweise bei etwa 15 V liegt.
IGBTs werden nach Spannungsniveaus kategorisiert, typischerweise im Bereich von 300 V, 600 V, 900 V, 1200 V, 1700 V, 3300 V, 6500 V usw. Zu den gängigen Modellen für IGBT-Module für Elektrofahrzeuge gehören solche mit einer Spannung von 650 V und einem Strom von 550 A. Die Tests für diese Module umfassen Nennwerttests, Charakteristiktests, Haltbarkeits- und Zuverlässigkeitstests.
Bei Nennwertprüfungen empfiehlt Xuan'an Technology die Verwendung verschiedener Geräte, wie z. B. das programmierbare Multifunktions-Gleichstromnetzteil der HY-PM-Serie, das ultradünne programmierbare 1U-Gleichstromnetzteil der HY-S-Serie und das programmierbare Hochspannungs-Gleichstromnetzteil der HY-HV-Serie Netzteil, programmierbares Hochleistungs-Gleichstromnetzteil HY-HP usw.
Die Netzteile von Xuan'an Technology, die sich jahrelang der IGBT-Prüfung verschrieben haben, weisen eine hohe Leistung und Stabilität in Szenarien mit hoher Leistung, hoher Spannung und großem Strom auf. Ihre Produkte, die für ihre ultrahohe Präzision und Auflösung bekannt sind, haben bei den Kunden Vertrauen und Anerkennung gewonnen.
IGBT-Teststromversorgungsprodukte
Programmierbares Hochspannungs-Gleichstromnetzteil der HY-HV-Serie
Maximale Ausgangsspannung: 50 kV
Hohe Leistungsdichte: Bis zu 20 kW pro Einheit
Konstantspannungs- (CV)/Konstantstrom- (CC) Modi mit CV/CC-Prioritätseinstellung
Unterstützung der Frontplattenprogrammierung; Es ist keine Steuerung durch die Software des oberen Computers erforderlich
Einstellbare Anstiegs- und Abfallflanken für Spannung und Strom
Softstart-Funktion für den Netzteilausgang
Hochpräziser 16-Bit-D/A-Wandler für präzise Ausgabe
Hochpräziser 20-Bit-A/D-Wandler für präzise Messwerte bei der Rückmeldung
Laden Sie Echtzeit-Messvideos herunter, um weitere Einblicke zu erhalten
Ultradünnes, programmierbares 1U-Gleichstromnetzteil der HY-S-Serie